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AD产品 - ADR435介绍
ADR435 - 超低噪声、5.0V XFET?基准电压源,具有吸电流和源电流能力

ADR435是AD公司的一款基准电压源产品,ADR435是超低噪声、5.0V XFET?基准电压源,具有吸电流和源电流能力,本站介绍了ADR435的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与ADR435相关的AD元器件型号供参考。

ADR435 - 超低噪声、5.0V XFET?基准电压源,具有吸电流和源电流能力 - 基准电压源 - 线性产品 - Analog Devices, LLC

产品描述

ADR43x是XFET系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正专利技术和XFET(外加离子注入场效应管)技术,可以使ADR43x电压随温度变化的非线性度降至最小。

与嵌入式齐纳基准电压源相比,XFET基准电压源能以更低的功耗(800 µA)和更小的电源裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR43x XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。

ADR43x系列的源电流输出最高达30 mA,最大吸电流能力为20 mA。它还具有调整引脚,可以在0.5%范围内调整输出电压,而性能则不受影响。

ADR43x提供8引脚MSOP和窄体SOIC两种封装。所有版本的额定工作范围均为扩展工业温度范围−40°C至+125°C。

ADR435-EP支持军工和航空航天应用(AQEC标准)


应用

  • 精密数据采集系统
  • 高分辨率数据转换器
  • 医疗仪器
  • 工业过程控制系统
  • 光学控制电路
  • 精密仪器
  • 优势和特点
  • 低噪声(0.1 Hz至10.0 Hz): 3.5 µV p-p(2.5 V输出)
  • 无需外部电容
  • 低温度系数 A级: 10 ppm/℃(最大值) B级: 3 ppm/℃(最大值)
  • 负载调整率: 15 ppm/mA
  • 线性调整率: 20 ppm/V
  • 宽工作电压范围: ADR430: 4.1 V至18 V ADR431: 4.5 V至18 V ADR433: 5.0 V至18 V ADR434: 6.1 V至18 V ADR435: 7.0 V至18 V
  • 高输出源电流和吸电流: +30 mA和-20 mA
  • 宽工作温度范围: -40 ℃至+125 ℃
  • ADR435-EP支持防务和航空航天应用(AQEC标准)
  • 下载 ADR435-EP数据手册 (pdf)
  • 军用温度范围(−55 ℃至+125 ℃)
  • 受控制造基线
  • 唯一封装/测试厂
  • 唯一制造厂
  • 增强型产品变更通知
  • 认证数据可应要求提供
  • ADR435典型设计图一
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